收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI7892BDP-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI7892BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 42000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI7892BDP-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI7898DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 9000 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 12000 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 15000 MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7892BDP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 45000 MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7888DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI7892BDP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3775pF @ 15V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别