收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI7862ADP-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI7862ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI7862ADP-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI7866ADP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 9977 MOSFET N-CH 20V 40A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7866ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7868ADP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7862ADP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7860DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7860DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI7862ADP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):16V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 29A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7340pF @ 8V
功率 - 最大值:1.9W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别