| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7846DP-T1-E3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 150V 4A PPAK 8SOIC 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI7846DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI7848BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 9000 | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI7844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI7844DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 17885 | MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI7842DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 12000 | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
