型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7802DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 12000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI7802DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI7804DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI7804DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI7790DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 12000 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SI7788DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SI7784DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 5514 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |