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SI7664DP-T1-E3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8
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简述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI7661CSA+T Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8SOIC 类型:切换式电容器(充电泵),反相 输出类型:可调式 输出数:1 输出电压:-4...

SI7664DP-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):125nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7770pF @ 15V
功率 - 最大值:83W
安装类型:表面贴装

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