型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7464DP-T1-E3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI7464DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3000 | MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7465DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 30000 | MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7465DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 9000 | MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7463DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 12000 | MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7463DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 238 | MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |