收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI7431DP-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI7431DP-T1-E3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与SI7431DP-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI7431DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7434DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 9000 MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 4639 MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7425DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI7431DP-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):174 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.9W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别