型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7308DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 7418 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI7308DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 5015 | MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SI7309DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SI7309DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SI7302DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI7302DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI7288DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 3000 | MOSFET N-CH 40V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |