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SI7117DN-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8
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简述:MOSFET P-CH D-S 150V 1212-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI7117DN-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):510pF @ 25V
功率 - 最大值:12.5W
安装类型:表面贴装

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