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SI7112DN-T1-E3

Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 10646
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简述:MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI7112DN-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 17.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 15V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装

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