型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7107DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 27000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI7107DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 18000 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7108DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 15000 | MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7108DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 54000 | MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7106DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3000 | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI7106DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI7104DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 1212-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |