收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI5402DC-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI5402DC-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI5402DC-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI5402DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI5403DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 3000 MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI5404BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 60000 MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI5402BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 6000 MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI5402BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 6000 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI5401DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI5402DC-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别