收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI4842BDY-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI4842BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI4842BDY-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI4844-A10-GU Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) 757 IC AM/FM RX FOR DIGITAL RADIOS 频率:504kHz ~ 1.75MHz,64MHz ~ 109MHz 灵敏度:-...
SI4844-DEMO Silicon Laboratories Inc 2 SI4844 EVAL AND DEMO BOARD ...
SI4845DY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SI4842BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI4840DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI4840DY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI4842BDY-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):28A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3650pF @ 15V
功率 - 最大值:6.25W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别