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SI4840BDY-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2054
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简述:MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
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与SI4840BDY-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI4840BDY-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):19A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 12.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2000pF @ 20V
功率 - 最大值:6W
安装类型:表面贴装

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