| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4493DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI4497DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10000 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI4500BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 52500 | MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI4500BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4493DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI4490DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 200V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI4490DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10000 | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
