| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4466DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI4466DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI4470EY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI4470EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI4465ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI4464DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
