| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4435DY |
Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI4435DYPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI4435DYTR | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI4435DYTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 74427 | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI4435DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 27500 | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI4435DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI4435BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
