收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI4354DY-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI4354DY-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI4354DY-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI4354DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI4355-B1A-FM Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 25 IC EZRADIO FM RECEIVER SI4355 频率:283MHz ~ 350MHz,425MHz ~ 525MHz,850MH...
SI4362-B0B-FM Silicon Laboratories Inc * RECEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN 频率:142MHz ~ 1.05GHz 灵敏度:-124dBm 数据传输率 - ...
SI4348DY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI4346DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI4346DY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI4354DY-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别