收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI4320DY-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI4320DY-T1-E3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI4320DY-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI4320DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI4320-J1-FT Silicon Laboratories Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 944 IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP 频率:315MHz,433MHz,868MHz,和 915MHz 灵敏度:-10...
SI4322-A0-FT Silicon Laboratories Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP 频率:868MHz,915MHz 灵敏度:-104dBm 数据传输率 - 最大:...
SI4313-B1-FM Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 1699 IC RX FSK 315-915MHZ 20VQFN 频率:315MHz,434MHz,868MHz,915MHz 灵敏度:-118d...
SI4312-B10-GM Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 771 IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN 频率:315MHz,434MHz 灵敏度:-110dBm 数据传输率 - 最大:...
SI4311-B21-GM Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 225 IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN 频率:315MHz,434MHz 灵敏度:-104dBm 数据传输率 - 最大:...

SI4320DY-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):70nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6500pF @ 15V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别