| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4190DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI4196DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI4200-BM | Silicon Laboratories Inc | 32-VFQFN 裸露焊盘 | IC TXRX TRI-BAND 32MLP | 频率：850MHz，900MHz，1.8GHz 数据传输率 - 最大：- 调制或... | |
| SI4200-EVB | Silicon Laboratories Inc | BOARD EVAL FOR SI4200 | ... | ||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSF N CH 100V 18.4A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
