收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI4114DY-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI4114DY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI4114DY-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI4114G-B-GM Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN 类型:频率合成器 PLL:是 输入:时钟 输出:时钟 电路数:1 比率 - 输入...
SI4114G-BM Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN 类型:频率合成器 PLL:是 输入:时钟 输出:时钟 电路数:1 比率 - 输入...
SI4114GM-EVB Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL SI4114G-BM ...
SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI4113M-EVB Silicon Laboratories Inc BOARD EVALUATION FOR SI4113 ...
SI4113-EVB Silicon Laboratories Inc BOARD EVALUATION FOR SI4113 ...

SI4114DY-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):95nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3700pF @ 10V
功率 - 最大值:5.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别