收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI4110DY-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI4110DY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 15000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI4110DY-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI4112-BM Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP 类型:频率合成器 PLL:是 输入:时钟 输出:时钟 电路数:1 比率 - 输入...
SI4112-BT Silicon Laboratories Inc 24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP 类型:频率合成器 PLL:是 输入:时钟 输出:时钟 电路数:1 比率 - 输入...
SI4112-D-GM Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 1234 IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN 类型:频率合成器 PLL:是 输入:时钟 输出:时钟 电路数:1 比率 - 输入...
SI4108DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 10029 MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI4104DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI4104DY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SI4110DY-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 11.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2205pF @ 40V
功率 - 最大值:7.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别