| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI3460DDV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 3000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI3460DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI3460DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI3460-E02-GM | Silicon Laboratories Inc | 10-VFDFN 裸露焊盘 | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 应用：供电设备（PSE） 电流 - 电源：500mA 电源电压：2.7 V ~ ... | |
| SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 42000 | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI3459DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
