型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI3457BDV-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | 24000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI3457BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI3457CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | 2000 | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI3456DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | 3000 | MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至... |
SI3456DDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI3456CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |