收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI3443CDV-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI3443CDV-T1-E3

Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI3443CDV-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) 3000 MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3443DV Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 9000 MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3443DVTR International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3443BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3443BDV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) 18000 MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI3442DV Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI3443CDV-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.97A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):610pF @ 10V
功率 - 最大值:3.2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别