| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI3410DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI3410DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 6000 | MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI3424BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI3424BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI3407DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH 20V 6-TSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI3407DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH 20V 6-TSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI3403-A-GM | Silicon Laboratories Inc | IC POE CTLR TO 17W LOW EMI 20QFN | ... |
