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SI2343DS-T1

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000
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简述:MOSFET P-CH 30V SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI2343DS-T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 24000 MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET P-CH 30V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2351DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 21000 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET P-CH 30V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI2341DS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2341DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI2343DS-T1参数资料


FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):53 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):540pF @ 15V
功率 - 最大值:750mW
安装类型:表面贴装

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