型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI2343DS-T1 |
Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 30V SOT23 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI2343DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 24000 | MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI2343DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3000 | MOSFET P-CH 30V SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI2351DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 21000 | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 6000 | MOSFET P-CH 30V SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SI2341DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI2341DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |