| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI2327DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI2328DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 12000 | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI2328DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3000 | MOSFET N-CH D-S 100V SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI2331DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2327DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 17183 | MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2325DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 15000 | MOSFET P-CH D-S 150V SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2325DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2903 | MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
