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SI2323DS-T1-GE3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 10864
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简述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
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与SI2323DS-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2903 MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2325DS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 15000 MOSFET P-CH D-S 150V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2327DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 17183 MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 36000 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2323DS-T1 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V SOT23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET P-CH 20V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI2323DS-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1020pF @ 10V
功率 - 最大值:750mW
安装类型:表面贴装

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