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SI2321DS-T1-E3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET P-CH 20V SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET P-CH 20V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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SI2319DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 24000 MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 36000 MOSFET P-CH 40V SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI2321DS-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 3.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):715pF @ 6V
功率 - 最大值:710mW
安装类型:表面贴装

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