型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI2316BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 27295 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI2316DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 12000 | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI2316DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI2318DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 156000 | MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI2316BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI2315BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 15000 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |