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SI2312BDS-T1-E3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 67461
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简述:MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
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与SI2312BDS-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 15000 MOSFET N-CH 20V SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2311DS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2311DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2309DS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI2312BDS-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:750mW
安装类型:表面贴装

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