| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI2312BDS-T1-E3 |
Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 67461 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 15000 | MOSFET N-CH 20V SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2314EDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2311DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2311DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2309DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
