| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI2307CDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 36000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI2308BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 69000 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2308DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2307CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI2307BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2307BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
