| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI2304DS,215 |
NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI2305ADS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2305ADS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 18000 | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2735 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2304BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 13385 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
