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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI2300DS-T1-GE3
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SI2300DS-T1-GE3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 30V SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI2300DS-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI2300DS-T1-GE3参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):320pF @ 15V
功率 - 最大值:1.7W
安装类型:表面贴装

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