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SI1417EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 670
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简述:MOSFET P-CH 12V SC-70-6
参考包装数量:1
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与SI1417EDH-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI1419DH-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000 MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 9000 MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1426DH-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6000 MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1417EDH-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 2250 MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1413EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET P-CH 20V SC-70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1413EDH-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 12000 MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI1417EDH-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 3.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

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