收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI1400DL-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI1400DL-T1-GE3

Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI1400DL-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 5287 MOSFET P-CH F-D 12V SC-70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1402DH-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1402DH-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1400DL-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 7532 MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1330EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 3000 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI1400DL-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:568mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别