收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI1022R-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI1022R-T1-GE3

Vishay Siliconix SC-75A 15000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI1022R-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI1023X-T1-E3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI1024X-T1-E3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 1426 MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI1022R-T1-E3 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix SC-75A 12000 MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI1021R-T1-E3 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI1022R-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.25 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30pF @ 25V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别