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SGSD200

STMicroelectronics TO-247-3
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简述:TRANSISTOR DARL PNP COMPL TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

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SGSD200参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):25A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3.5V @ 80mA,20A
电流 - 集电极截止(最大):500µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):500 @ 10A,3V
功率 - 最大:130W
频率 - 转换:-
安装类型:通孔

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