| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SDP8406-004 |
Honeywell Sensing and Control | 径向 | 询价QQ： |
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| 简述：PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SDP8407-001 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | 97 | PHOTOTRANSISTR SILICON NPN | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
| SDP8436-001 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... | |
| SDP8436-002 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | 380 | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
| SDP8406-003 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | 1832 | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
| SDP8406-002 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | 7994 | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
| SDP8406-001 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
