| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SDP8405-011 |
Honeywell Sensing and Control | 径向 | 询价QQ： |
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| 简述：PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SDP8405-012 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... | |
| SDP8405-013 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | 304 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
| SDP8405-014 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | 57 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
| SDP8405-003 | Honeywell Sensing and Control | 径向，3mm 直径（T 1） | 2098 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
| SDP8405-002 | Honeywell Sensing and Control | 径向，3mm 直径（T 1） | 311 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
| SDP8405-001 | Honeywell Sensing and Control | 径向 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：... |
