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SBE808-TL-E

ON Semiconductor 6-SMD(5引线),扁引线 0+777000
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简述:DIODE SCHOTTKY 1A 15V MCPH5
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SBE808-TL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SBE812-TL-E ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 DIODE SCHOTTKY 1A 60V VEC8 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):600mV @ 1A 电流 - ...
SBE813-TL-E ON Semiconductor * DIODE SCHOTTKY 3A 30V VEC8 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):520mV @ 3A 电流 - ...
SBE818-TL-E ON Semiconductor * DIODE SCHOTTKY 2A 30V EMH8 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):620mV @ 2A 电流 - ...
SBE807-TL-E ON Semiconductor SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 3000+102000 DIODE SCHOTTKY 30V 1A CPH5 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):530mV @ 1A 电流 - ...
SBE806-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 DIODE SCHOTTKY 50V 0.1A CPH5 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):550mV @ 100mA 电流...
SBE805-TL-E ON Semiconductor SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 6000+90000 DIODE SCHOTTKY 30V 0.5A CPH5 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):550mV @ 500mA 电流...

SBE808-TL-E参数资料

PDF资料下载:

电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):540mV @ 1A
电流 - 在 Vr 时反向漏电:3µA @ 6V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):1A
电压 - (Vr)(最大):15V
反向恢复时间(trr):10ns
二极管类型:肖特基
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置:2 个独立式
安装类型:表面贴装

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