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型号	品牌	封装	数量	在线询价	在线订购
RZY200P01TL	Rohm Semiconductor	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63	5000	询价QQ：
简述：MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR)

与RZY200P01TL相近的型号

型号	品牌	数量	描述	部分参数
RZVS1931BK1	Hammond Manufacturing	0+24	SHELF FIXED 30.8X17.8X1.31" BLAC	...
RZVS1926BK1	Hammond Manufacturing	0+48	SHELF FIXED 25.8X17.8X1.3" BLACK	...
RZVS1921BK1	Hammond Manufacturing	0+138	SHELF FIXED 20.8X17.8X1.3" BLACK	...

RZY200P01TL参数资料

PDF资料下载：

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：20W
安装类型：表面贴装

RZY200P01TL

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