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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RZE002P02TL
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RZE002P02TL

Rohm Semiconductor SC-75,SOT-416 24000 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RZE002P02TL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RZE05DHAS Sullins Connector Solutions CONN EDGE DUAL 1MM R/A 10 POS ...
RZE05DHFR Sullins Connector Solutions CONN EDGE DUAL 1MM SMD 10 POS ...
RZE05DHHN Sullins Connector Solutions CONN EDGE DUAL 1MM DIP 10 POS ...
RZB95DHRN Sullins Connector Solutions CONN EDGE DUAL.050 EXTEND 190POS ...
RZB95DHHN Sullins Connector Solutions CONN EDGE DUAL .050 DIP 190 POS ...
RZB95DHFR Sullins Connector Solutions CONN EDGE DUAL .050 SMD 190 POS ...

RZE002P02TL参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):115pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装

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