| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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RW1S0BA1R00JET |
Ohmite | 2514（6435 公制），J 形引线 | 询价QQ： |
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| 简述：RES POWER 1.00 OHM 1W 5% SMT 参考包装数量：2000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| RW1S0BA1R00JT | Ohmite | 2514（6435 公制），J 形引线 | 4000 | RES POWER 1.00 OHM 1W 5% SMT | 电阻（欧姆）：1 功率（瓦特）：1W 复合体：绕线 特点：电流检测 温度系数：&... |
| RW1S0BAR005J | Ohmite | 2514（6435 公制），J 形引线 | 365 | RES POWER .005 OHM 1W 5% SMT | 电阻（欧姆）：0.005 功率（瓦特）：1W 复合体：绕线 特点：电流检测 温度... |
| RW1S0BAR005JE | Ohmite | 2514（6435 公制），J 形引线 | 1168 | RES POWER .005 OHM 1W 5% SMT | 电阻（欧姆）：0.005 功率（瓦特）：1W 复合体：绕线 特点：电流检测 温度... |
| RW1S0BA1R00JE | Ohmite | 2514（6435 公制），J 形引线 | 400 | RES POWER 1.00 OHM 1W 5% SMT | 电阻（欧姆）：1 功率（瓦特）：1W 复合体：绕线 特点：电流检测 温度系数：&... |
| RW1S0BA1R00J | Ohmite | 2514（6435 公制），J 形引线 | RES POWER 1.00 OHM 1W 5% SMT | 电阻（欧姆）：1 功率（瓦特）：1W 复合体：绕线 特点：电流检测 温度系数：&... | |
| RW1C020UNT2R | Rohm Semiconductor | 6-WEMT | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
