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RW0S6BBR100FET

Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 3595
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简述:RES .100 OHM .6W 2010 SMD
参考包装数量:1
参考包装形式:

与RW0S6BBR100FET相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RW0S6BBR240FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .24 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.24 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温...
RW0S6BBR470FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .47 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.47 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温...
RW0S6BBR750FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .75 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.75 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温...
RW0S6BBR075FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .075 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.075 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 ...
RW0S6BBR050FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .050 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.05 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温...
RW0S6BBR030FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .030 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.03 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温...

RW0S6BBR100FET参数资料

PDF资料下载:

电阻(欧姆):0.1
功率(瓦特):0.6W
复合体:绕线
特点:电流检测
温度系数:±90ppm/°C
容差:±1%

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