收藏本站

首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > RW0S6BBR020FET
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RW0S6BBR020FET

Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 7500
询价QQ:
简述:RES .020 OHM .6W 2010 SMD
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与RW0S6BBR020FET相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RW0S6BBR030FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .030 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.03 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温...
RW0S6BBR050FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .050 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.05 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温...
RW0S6BBR075FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .075 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.075 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 ...
RW0S6BBR015FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .015 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.015 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 ...
RW0S6BBR010FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES .010 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):0.01 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温...
RW0S6BB7R50FET Ohmite 2010(5125 公制),J 形引线 RES 7.5 OHM .6W 2010 SMD 电阻(欧姆):7.5 功率(瓦特):0.6W 复合体:绕线 特点:电流检测 温度...

RW0S6BBR020FET参数资料

PDF资料下载:

电阻(欧姆):0.02
功率(瓦特):0.6W
复合体:绕线
特点:电流检测
温度系数:±90ppm/°C
容差:±1%

最近更新

型号类别