收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RSS125N03FU6TB
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RSS125N03FU6TB

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与RSS125N03FU6TB相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RSS125N03TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS130N03FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS130N03TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS12-3.33.3-R Recom Power Inc 12-DIP SMD 模块(10 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 3.3VOUT 类型:隔离 输出数:1 电压 - 输入(最小):3V 电压 - 输入(最大):3...
RSS12-3.33.3 Recom Power Inc 12-DIP SMD 模块(10 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 3.3VOUT 类型:隔离 输出数:1 电压 - 输入(最小):3V 电压 - 输入(最大):3...
RSS12-3.324-R Recom Power Inc 12-DIP SMD 模块(10 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 24VOUT 类型:隔离 输出数:1 电压 - 输入(最小):3V 电压 - 输入(最大):3...

RSS125N03FU6TB参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.9 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1670pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别