收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RSS075P03FU6TB
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RSS075P03FU6TB

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与RSS075P03FU6TB相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RSS075P03TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS080N05FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RSS085N05FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS070P05FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5725 MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS070N05FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5109 MOSFET N-CH 45V 7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS065N06FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

RSS075P03FU6TB参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2900pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别