收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RSS065N03TB
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RSS065N03TB

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与RSS065N03TB相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RSS065N06FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS070N05FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5109 MOSFET N-CH 45V 7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS070P05FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5725 MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS065N03FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS060P05FU6TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RSS050P03TB Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

RSS065N03TB参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别